DRAM方面,国内现货价格较昨天稳定,但由于市场缺乏后续支撑,因此下午盘中价格有所疲软,市场缺乏买气,因行情不够明朗,国内通路进场操作意愿不强,Hynix 512M DDR400报至¥190,操作应谨慎。
NAND flash的部份,由于受到现货需求持续寻求低点的目标价,加上人为操作因素影响,使得价格一度出现明显跌幅,不过在接近稍晚时间,整体价格开始出现回涨情形,今日有较明显的成交量出现。Samsung 1Gb / 2Gb / 4Gb(K9F) / 8Gb(K9K) / 8Gb(K9G) / 16Gb(SLC) / 16Gb(MLC) 报价约落USD2.15~2.25 / 2.4~2.45 / 5.1~5.25 / 8.2~8.4 / 7~7.3 / 20.8~21.2 / 13.1~13.3,而Hynix 1Gb / 2Gb / 4Gb(SLC) / 4Gb(MLC) / 8Gb(SLC) / 8Gb(MLC) / 16Gb(SLC) / 16Gb(MLC) 报价约落USD1.95~2.1 / 2.4~2.45 / 4.05~4.15 / 3.95~4.05 / 7.25~7.3 / 7.1~7.25 / 13.2~13.4 / 15.4~15.65。
在成都市场上,受到上游的影响,闪存卡价格有些上涨。通路目前不敢做库存,以实际需求为主操作,所以成交情况不理想。
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