内存天天报：闪存继续跌内存再度涨

西域IT网【新闻】作者：chinadram.com 编辑：kakash 时间：06-01

　　深圳市场：NAND flash部分，高容量产品现货价继续走跌，市场贸易动作仍显较少。工厂方面依旧未有太多采购动作。国内客户的接受价格普遍偏低，若市场维持低迷状况，价格有机会继续下修。临近收市，Samsung K9LAG/K9G8G/Hynix 8G UU分别在￥102/￥52/￥51.5附近。

　　DRAM方面，国内DDR2现货价格继续拉高，ETT 512M DDR2 667模组价攀升至￥127，DDR1现货价格则往下修正，Hynix 512M DDR400调低至￥183。国内市场较外围冷清，市场关注点仍集中在DDR2 667模组，全天成交一般。

　　香港市场：福意国际

　　NAND FLASH价格略有走软, 8G/16G MLC 价格分别下调至$ 6.80/$ 13.20。市场上采购商开出的目标价普遍偏低, 卖方较难接受, 导致成交难以配合。另一方面, 今天为本月最后一天交易日, 采购商表现保守态势。

　　DDR2颗粒价格持续上升, 64Mx8 DDR2 667 ETT 价格由上午$ 1.74-$ 1.77涨至$ 1.80-$ 1.85附近。因月底期间, 买家采购意愿不够强烈, 商家普遍观望心态为主。

　　台湾市场：Dramexchange

　　今日的DRAM市场，DDRII需求持续增加，整体价格仍明显上涨，有较积极的成交情况；而在DDRI的部份，由于买气仍然不佳，价格继续走软，无明显的交易量。512Mb(64M*8)667/533MHz主流品牌颗粒价格报价向上调整至USD1.85/1.82。而在UTT(ETT)DDR1的部份，64M*8/400报价维持在USD2.89，交易量有限。另外UTT(ETT)DDR2 64M*8/667MHz的部分，由于市场突然涌现明显的需求，价格也一路飙升至USD1.85，不过在稍晚的时候，价格修正回USD1.75附近，有明显成交量。

　　在NAND FLASH的现货部分，市场需求略显疲软，加上部分人为因素影响之下，在主流品牌8Gb/16Gb MLC的部份，颗粒价格出现走软的情形，今日也出现较明显的跌幅，实际成交量有限。Samsung 1Gb / 2Gb / 4Gb(K9F) / 8Gb(K9K) / 8Gb(K9G) / 16Gb(SLC) / 16Gb(MLC) 报价约落USD2.25~2.3 / 2.5~2.6 / 5.4~5.6 / 8.35~8.5 / 6.85~6.9 / 21.1~21.3 / 13.15~13.3，而Hynix 1Gb / 2Gb / 4Gb(SLC) / 4Gb(MLC) / 8Gb(SLC) / 8Gb(MLC) / 16Gb(SLC) / 16Gb(MLC) 报价约落USD1.95~2.1 / 2.65~2.75 / 4.05~4.15 / 4~4.05 / 7.3~7.35 / 6.8~7.1 / 13.2~13.35 / 15.4~15.65。