70纳米工艺 金邦推出单条2G/800内存

　　众所周知，内存芯片的生产工艺自从90纳米过渡到80纳米有相当长一段时间了，工艺的提升带来的是更好的散热和更小的封装体积，同时单颗芯片容量能够进一步提升。近日，笔者从GeIL（金邦）北京办事处获悉，金邦率前推出70纳米芯片工艺单条容量2GB平价内存。

GeIL（金邦）70纳米单条2GB DDR2-800内存外包装特写

　　据悉，采用传统80纳米工艺生产的单颗DDR2内存芯片的最大容量为64MB，所以1GB内存通常采用双面16颗粒规格。目前已经上市的很多单条2GB内存，受到80纳米工艺的限制，将两颗64MB晶圆封装到一个“大颗粒”里面，导致颗粒体积增大了将近一倍。这种情况导致了在传统6层PCB电路板上集成32颗内存芯片，造成成品良率非常低下。

GeIL（金邦）70纳米单条2GB DDR2-800内存细节特写

　　本次金邦推出的单条2GB内存频率为DDR2-800（等效于PC2-6400规格），提供有双通道4GB套装供用户挑选。该产品还采用金邦千禧条双通道包装方式，透明的塑料窗口直接可以看到产品的参数：容量为2GB、运行速度为DDR2-800、CL延时参数值为5个时钟周期、工作电压为1.9V。值得注意的是该内存芯片明显有别与市面上先行推出的单条2GB的“大颗粒”。

　　根据金邦相关人员介绍，本次推出的产品暂定为2GB DDR2-800（799元）；4GB DDR2-800套装（1598元）。