外形第一 承启重装DDR2-800+超频测试

　　承启这次送测的APOGEE GT DDR2-800+ 1GB 1GB*2是一对non-ECC unbuffered 240pin 512MB DDR2 SDRAM内存模组，型号为AU1G0B2-1G6P501。之所以称之为DDR2-800+而不是DDR2-800是因为它们仍然定位于超频玩家，产品本身还有一定的超频能力，并在官方规格上做出了保证。这包括1.95V下的DDR2-800_4-4-4-12及2.1V下的DDR2-920_5-5-5-15运行能力，虽然不算惊人，但也是大多数普通DDR2-800产品不能保证实现的成绩。

APOGEE GT DDR2-800+ 512MB*2

APOGEE GT 红底银字的logo非常漂亮

APOGEE GT DDR2-800+ 1GB背面

　　这款产品可以说是精工细造，无论外壳和PCB都加工的近乎完美，左右端详起来更像是一件艺术品。从侧面观察，可以看到内存模组为单片配置，使用8片内存芯片，全部贴装在PCB正面。

AU51082-800P105产品标签状况

　　APOGEE GT DDR2-800+产品标签包含了内存模组的型号、容量、速度、标准运行延迟等信息。因为内存铝质外壳直接粘贴在芯片表面，为避免损坏脆弱的FBGA芯片，笔者没有强行取下它们，也就无法了解DRAM制造商提供的芯片标识。

CPU-Z显示的内存模组SPD信息

　　CPU-Z 1.40显示的AU51082-800P105 SPD信息如上图，除了制造商、序号外其他信息都完整正确可以识别。内存时序表部分包含3套设置，其中包括DDR2-400_3-3-3-8，DDR2-533_4-4-4-12和DDR2-800_5-5-5-15。

　　影响到内存系统性能的原因多样，在外部主要是位于主板芯片组内的或者位于CPU内部的内存控制器决定，内存本身的性能影响因素包括频率和延迟两个方面，其中延迟在应用中将以时序参数的设定来体现。以DDR SDRAM/DDR2 SDRAM的SPD内部规定的时序参数为例，类似“3-3-3-8”的标称中的4个数字的含义依次为：

　　CAS Latency，内存CAS延迟时间。
　　RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。
　　Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。
　　Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。

　　这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定。在AMD K8处理器平台和部分非Intel设计的对应Intel处理器芯片组上，还支持内存模组的CMD 1T/2T Timing调节，通常认为这一部分设定对内存性能影响较大，其重要性等同于CAS Latency设定。