产品标签包含了内存模组的型号、容量、速度、标准运行延迟等信息,能够看到Patriot内存的生产过程通过RoHS无铅标准。因为内存外壳直接粘贴在芯片表面,为避免损坏笔者没有强行取下它们,也就无法了解DRAM制造商提供的芯片标识。根据以往的经验,DDR2-1066以上规格的内存模组产品均使用了来自Micron的内存芯片。
CPU-Z SPD显示的PDC22G8500ELK SPD信息还是非常的全。如上图,模组容量、速度和制造商及产品型号可以识别。
影响到内存系统性能的原因多样,在外部主要是位于主板芯片组内的或者位于CPU内部的内存控制器决定,内存本身的性能影响因素包括频率和延迟两个方面,其中延迟在应用中将以时序参数的设定来体现。以DDR SDRAM/DDR2 SDRAM的SPD内部规定的时序参数为例,类似“3-3-3-8”的标称中的4个数字的含义依次为:
CAS Latency,内存CAS延迟时间。
RAS-to-CAS Delay(tRCD),内存行地址传输到列地址的延迟时间。
Row-precharge Delay(tRP),内存行地址选通脉冲预充电时间。
Row-active Delay(tRAS),内存行地址选通延迟。
这是玩家最关注的4项时序调节,在大部分主板的BIOS中可以设定。在AMD K8处理器平台和部分非Intel设计的对应Intel处理器芯片组上,还支持内存模组的CMD 1T/2T Timing调节,通常认为这一部分设定对内存性能影响较大,其重要性等同于CAS Latency设定。
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